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SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結 石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)： 單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 8片裝 每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％ 薄膜是連續的，有小孔和有機殘留物 高結晶質(zhì)量 石墨烯薄膜預先單層（超過(guò)95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質(zhì)結 石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)： 單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 4片裝 每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％ 薄膜是連續的，有小孔和有機殘留物 高結晶質(zhì)量 石墨烯薄膜預先單層（超過(guò)95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％） 薄層電阻：430-800Ω/平方
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