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簡(jiǎn)要描述：黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)晶體尺寸：~mm電學(xué)性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數：晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°晶體類(lèi)型：合成晶體純度：>99.995%
更新時(shí)間：2024-06-03產(chǎn)品型號： 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家訪(fǎng) 問(wèn) 量：1089相關(guān)文章
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黑砷磷/晶體黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
晶體尺寸：~mm
電學(xué)性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：晶胞參數取決于合金中的成分。p/As比值為1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：>99.995%
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal P-As. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
Stoichiometric analysis of a single crystal P-As by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
Raman spectrum of a single crystal P-As. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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